<rp id="vtmlp"><object id="vtmlp"><input id="vtmlp"></input></object></rp>
<button id="vtmlp"></button>

  • <label id="vtmlp"><object id="vtmlp"></object></label><em id="vtmlp"><object id="vtmlp"><input id="vtmlp"></input></object></em>
    <s id="vtmlp"></s><button id="vtmlp"><object id="vtmlp"></object></button><dd id="vtmlp"></dd><dd id="vtmlp"></dd>

        當前位置 >>  首頁 >> 綜合信息 >> 頭條新聞

      頭條新聞

      微電子所新型高功函數異質結X射線硅漂移探測器研究獲得進展

      稿件來源:高頻高壓中心 韓超 發布時間:2020-02-28

        近日,微電子所高頻高壓中心賈銳研究員團隊,在歐陽曉平院士指導下,創新性地將高功函數鈍化接觸異質結技術應用到硅漂移探測器(SDD)中,成功研制出新型SDD核心元器件。目前,該團隊在硅異質結漂移探測器的器件設計、工作機理和工藝制備等方面形成了核心競爭力,并具有完全自主知識產權。 

            硅漂移探測器是高能粒子探測領域能量分辨率最高的探測器之一,主要用于探測高能粒子和X射線,具有靈敏度高、能量分辨率高和計數率高等優點,在天文觀測、醫療和安檢等關鍵領域有著重要應用。由于傳統SDD器件制備需要完全依賴微電子工藝和設備,難度大、成本高,該器件及其高端探測設備的相關技術和市場長期被發達國家所壟斷,且只能制備面積小于等于100 mm2的器件。 

        為加快實現SDD器件的國產化,微電子所賈銳研究員團隊開展了SDD探測芯片的核心技術攻關,通過采用異質結及其平面工藝來制備SDD,極大降低了暗態漏電流(nA級別),在降低制備成本的同時提升了器件的可靠性。最終,該團隊成功研制出面積分別為20 mm2、79 mm2314 mm2的硅漂移探測器,可清晰探測到55Fe發射的能量為5.9 keVX射線,同時可探測到241Am等放射源發射出的阿爾法粒子和X射線。 

        相應的系列研究成果發表在Solar Energy、Solar Energy Materials & Solar Cells等國際刊物上。 

       

      1.四寸晶圓上不同面積的硅漂移探測器  

      2. 快速探測和捕獲到的高分辨X射線單光子波形 

      附件:
      棋牌上下分